Defensa de tesi de Rishab Goyal
Defensa de tesi de Rishab Goyal el pròxim 28 de juliol a les 11:00h. Sala de Graus de l'Escola d'Enginyeria (Q1/0003).
Doctorand: Rishab Goyal.
Títol: Dielectric Breakdown in FDSOI Nanowire Transistors:Statistical Characterization and Applications for Physical Unclonable Functions.
Directors: Marc Porti Pujal i Albert Crespo Yepes.
Tutots: Marc Porti Pujal.
Data i hora lectura: 28/07/2026, 11:00h.
Lloc de lectura: Q1/0003 Sala de Graus de l'Escola d'Enginyeria.
Programa de Doctorat: Enginyeria Electrònica i de Telecomunicació.
Departament on està inscrita la tesi: Departament d'Enginyeria Electrònica.